パワーデバイス製作所
【熊本/WEB面接可】SiCパワーデバイスのウエハプロセス開発【パワーデバイス製作所】
| 職務内容 |
●採用背景 カーボンニュートラル社会の実現に向け、電力損失を大幅に低減できる8インチSiCウエハプロセスラインの新工場を、2025/10に竣工しました。新工場では、デバイスの開発と量産を担っており、プロセス開発部では次世代SiCパワーデバイスの実用化に挑戦しています。開発を加速するには、目標とする電気特性を実現するプロセス技術の確立が重要です。中でも、イオン注入技術および拡散技術は、次世代SiCデバイス開発を支える重要な要素技術です。 ●職務内容 ・SiCパワーデバイスのイオン注入または拡散工程のプロセス開発を担当。 ・プロセスインテグレーション開発部門と連携しながら、次世代SiCデバイスのコア技術を構築する。 ≪具体的には≫ 【主な業務内容】 SiCパワーデバイスの次世代プロセス開発として、 イオン注入工程または拡散工程のプロセス条件構築、評価、改善を担当いただきます。 �� 既設装置を用いた評価・データ分析 a) 既存のイオン注入装置・拡散炉を用いた試作評価 b) 電気特性、プロセスデータ、不良解析結果などの整理・分析 c) 評価結果に基づく課題抽出、プロセス条件の改善検討 �� 新規装置・新規プロセスの立ち上げ a) 新規イオン注入装置・拡散炉の装置仕様確認、搬入、立ち上げ対応 b) 装置メーカーや社内関連部門と連携した条件出し、評価、量産適用検証 c) 安定稼働に向けた作業手順、管理項目、工程条件の整備 �� 次世代SiCデバイス向けウエハプロセス開発 a) 次世代SiCデバイスに求められるイオン注入工程・拡散工程のプロセス条件構築 b) デバイス特性向上、歩留まり改善、量産性向上に向けたプロセス最適化 c) プロセスインテグレーション開発部門や製造部門と連携した課題解決、開発テーマの推進 入社後は、既存プロセスの評価・分析や新規装置立ち上げを通じて工程理解を深めていただき、将来的には担当工程のプロセス開発を主体的に推進し、次世代SiCパワーデバイスの実用化・量産化に貢献いただくことを期待しています。 【変更の範囲】 会社の定める業務(※) (※)業務の都合によっては会社外の職務に従事するため出向又は転属を命じることがあります ●組織のミッション プロセス開発部 カーボンニュートラル社会の実現に貢献する次世代パワーデバイスのウエハプロセスの要素技術、プロセスインテグレーション及びテスト技術の開発 表面プロセス開発グループ 次世代パワーデバイス実現に向けた表面ウエハプロセスの要素技術開発 ●業務のやりがい、魅力 パワーデバイスはエアコン・自動車などの身近な製品から電力・電鉄などのインフラまで幅広い分野に利用されており、省エネによる地球温暖化ストップに貢献できる職務です。当社のSiCデバイスは業界トップクラスの性能を有し、世界No.1性能に挑戦することができます。デバイスを考慮したウエハプロセス開発を通じてウエハプロセスだけでなくデバイスに関わるスキルも身につきます。 ●当社事業・製品の強み 当社は、パワーエレクトロニクス分野において、自動車、鉄道、産業機器、家電、再生可能エネルギーなど、幅広い分野で高効率な電力変換を実現し、カーボンニュートラル社会の実現に貢献しています。当社の強みは、長年にわたり培ってきた高信頼性技術と、材料・プロセス・デバイス・モジュールまでを一貫して開発・量産できる総合力です。特にSiCパワーデバイスをはじめとする次世代技術の開発に注力しており、市場ニーズの高度化に応える製品をタイムリーに提供できる点が大きな優位性です。また、研究開発から量産、品質保証までを一体で推進できる体制により、技術課題にスピーディーかつ着実に対応できることも魅力です。最先端技術に挑戦しながら、社会インフラを支える製品を世に送り出すやりがいのある環境が整っています。 ●職場環境 残業時間 ：月平均25時間/繁忙期45時間 出張：有 (頻度3ヵ月に1回程度) 転勤可能性：有 (2,3年間、人材交流を目的に、量産部門・デバイス構造設計部門に異動あり) リモートワーク：有 (週1日程度利用可能) 中途社員の割合：約20% ●想定されるキャリアパス ご経験に応じ、ご入社後には担当領域におけるプロセス技術開発の実務を中心に経験を積んでいただきます。 中長期的には、担当領域にとどまらず関係部門も巻き込みながら、自らの判断で責任を持ってプロセス技術開発を推進していただきます。リーダーを任される機会も増え、より大きな役割を担っていただけます。 ●使用言語、環境、ツール、資格等 ・Windows OS。 ・プロセスシュミレーションの活用経験があると良いです。 |
|---|---|
| 登録資格 |
●必須要件 ・半導体業界での5年以上のウエハプロセス要素技術業務の経験 ●歓迎要件 ・イオン注入プロセス業務経験 ・拡散プロセス業務経験 ・パワーデバイス業界での経験 ・ウエハプロセス開発経験 ・装置メーカにて、イオン注入装置、拡散炉の業務経験(装置構造、動作原理を把握されている方) ●求める人物像 ・論理的に考え、建設的な議論ができる方。 ・周囲を巻き込みながら、主体的に業務を推進できる方。 ・目標達成に向けて、常に実現方法を考え、粘り強く業務に取り組める方。 ・従来のやり方にとらわれず、柔軟な発想で業務に取り組める方。 |
| 待遇 |
【勤務条件】 ■雇用形態：正社員 ■試用期間：3ヶ月（試用期間中の労働条件変更無） ■賃金形態：月給制 ■月給：27万円〜 ■想定年収：450万円 〜 900万円（経験・役割等による） ■残業手当：有（残業時間に応じて支給。深夜勤務、休日手当は別途支給有。） ■賃金改定：年1回（4月） ■賞与：年2回（6月・12月） ■退職金：有 ■社会保険：雇用保険、労災保険、健康保険、厚生年金保険 ■各種手当：通勤手当（会社規定に基づき支給）、扶養手当、など 【就業時間】 ■就業時間：8:30〜17:00 ■所定労働時間：7時間45分（休憩45分） ■フレックスタイム制：有 ■コアタイム：なし 【休日】 ■年間休日：131日（2026年度） ※内訳：土曜/日曜/祝日、GW、夏季、年末年始など（会社カレンダーに準じる） ■年次有給休暇：20日〜25日 ※入社時より付与。付与日数は入社日により変動（4〜20日）。 ■その他：チャージ休暇2〜4日（30歳、40歳、50歳到達年） 【その他】 ■福利厚生：寮、社宅、家賃補助制度、財形貯蓄、住宅融資、社員持株会、 社員互助会、契約リゾート施設、スポーツ施設など |
| 勤務地 |
三菱電機 パワーデバイス製作所 熊本事業所泗水工場 〒861-1197 熊本県合志市御代志997 【変更の範囲】 会社の定める場所(※) (※)業務の性質等に応じリモートワークを認める場合は、リモートワーク を行う場所（自宅等）を含む。 |